IPD14N06S280ATMA2, транзистор

*изображения служат только для ознакомления
*цена указана с НДС

  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технология MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток (Vdss) 55 V
  • Current - Continuous Drain (Id) 25 176 C 17A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 7A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) Id 4V 14µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) Vgs 10 nC 10V
  • Vgs (Max) ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) Vds 293 pF 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс) 47W (Tc)
  • Рабочая температура -55°C 175°C (TJ)
  • Вид монтажа Surface Mount
  • Исполнение корпуса PG-TO252-3-11
  • Корпус TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number IPD14N06

Производитель: Infineon

Рабочая температура: -55°C 175°C (TJ)

Корпус: TO-252-3